存储硬件常见问题
NAND flash cell
| abbr. | stand for | bits/cell | first ssd | P/E | cn |
|---|---|---|---|---|---|
| SLC | Single-Level Cell | 1 | 单层单元 | ||
| DLC | Double-level cell | 2 | 双层单元 | ||
| MLC | Multi-Level Cell | 2 | 多层单元 | ||
| TLC | Triple-Level Cell | 3 | 2010 Samsung 840 SSD | 5xnm,2500 | 三层单元 |
| QLC | Quad-Level Cell | 4 | 2018 Micron 5210 ION | 3xnm,2xnm,1xnm 1250,750,500 | 四层单元 |
| PLC | Penta-level cell | 5 | 1xm,35 | 五层单元 |
- level 越低，速度越快，成本越高，容量越低
- level 越高，误码率越高
- ECC、BCH
- 制程影响 P/E
- eMLC - 企业级 MLC
- 低错误率
- Multi-level cell
NOR vs NAND
- NOR
- 可以随机读写
- 平行方式连接
- NAND
- 按页读写
- 低面积、高容量、低成本
- 顺序方式连接
HPC 存储系统
| System | Year | Peak PFLOPS | # Cores | Storage Capacity | # Disks |
|---|---|---|---|---|---|
| ASCI Purple | 2005 | 0.1 | 12k | 2 PB | 10K |
| HPCS | 2012 | 16 | 500K+ | 40+ PB | 100K+ |
| Exascale | 2018 | 1000 | ~150M | ~1,000 PB | ~200K-1M |
4K block size
- 2010 年 - 512 -> 4096
- 高级格式化
- IDEMA - International Disk Drive Equipment and Materials Association - 国际硬盘设备与材料协会
- http://www.seagate.com/cn/zh/tech-insights/advanced-format-4k-sector-hard-drives-master-ti/
磨损均衡
- Wear Leveling
- 延长闪存存储设备（如 SSD 和 U 盘）寿命的技术
- 闪存存储设备由许多存储单元（称为块）组成，每个块都有有限的写入/擦除周期。为了避免某些块因过度使用而过早损坏，Wear Leveling 会确保写入操作均匀分布在整个存储器的所有块中。
- 动态均衡
- 写入的时候均衡
- 静态均衡
- 没有写入的时候会移动冷数据