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存储硬件常见问题

NAND flash cell

abbr.stand forbits/cellfirst ssdP/Ecn
SLCSingle-Level Cell1单层单元
DLCDouble-level cell2双层单元
MLCMulti-Level Cell2多层单元
TLCTriple-Level Cell32010 Samsung 840 SSD5xnm,2500三层单元
QLCQuad-Level Cell42018 Micron 5210 ION3xnm,2xnm,1xnm 1250,750,500四层单元
PLCPenta-level cell51xm,35五层单元
  • level 越低,速度越快,成本越高,容量越低
  • level 越高,误码率越高
    • ECC、BCH
  • 制程影响 P/E
  • eMLC - 企业级 MLC
    • 低错误率
  • Multi-level cell

NOR vs NAND

  • NOR
    • 可以随机读写
    • 平行方式连接
  • NAND
    • 按页读写
    • 低面积、高容量、低成本
    • 顺序方式连接

HPC 存储系统

SystemYearPeak PFLOPS# CoresStorage Capacity# Disks
ASCI Purple20050.112k2 PB10K
HPCS201216500K+40+ PB100K+
Exascale20181000~150M~1,000 PB~200K-1M

4K block size